G100N04
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道
G100N04的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）100A
栅源极阈值电压1.9V @ 250uA
漏源导通电阻6.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）90W(Tc)
类型N沟道
G100N04
G100N04及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
没有找到相关PDF信息
G100N04的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | G100N04 | GOFORD(谷峰) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥2.91
10+:￥2.16
30+:￥2.02
100+:￥1.88
500+:￥1.82
1000+:￥1.79
|