G1006LE的供应商，G1006LE规格参数，G1006LE的PDF资料

G1006LE /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W(Tc) 类型：N沟道

G1006LE的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）3A(Tc)

栅源极阈值电压2.2V @ 250uA

漏源导通电阻150mΩ @ 3A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.5W(Tc)

类型N沟道

G1006LE

G1006LE的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	G1006LE	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	G1006LE	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	G1006LE	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	G1006LE	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	G1006LE	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市源美佳成电子有限公司	G1006LE	新华强Q2C035	0755-83204865 13715037703	王小姐	询价

G1006LE及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
G1006LE	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W(Tc) 类型：N沟道	GOFORD(谷峰)		651.60 Kbytes	共6页		无

G1006LE的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	G1006LE	GOFORD(谷峰)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W(Tc) 类型：N沟道	5+:￥0.478604 50+:￥0.353654 150+:￥0.330704 500+:￥0.307754 2500+:￥0.297554 5000+:￥0.292514

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