FS50R07W1E3B11ABOMA1
/IGBT 模块
FS50R07W1E3B11ABOMA1的规格信息
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS:是
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
集电极—射极饱和电压:1.7 V
在25 C的连续集电极电流:70 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
Pd-功率耗散:205 W
封装 / 箱体:EasyPack1B
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 150 C
封装:Tray
商标:Infineon Technologies
安装风格:Through Hole
栅极/发射极最大电压:20 V
湿度敏感性:Yes
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:24
子类别:IGBTs
零件号别名:FS50R07W1E3_B11A SP000865118
FS50R07W1E3B11ABOMA1
FS50R07W1E3B11ABOMA1的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | FS50R07W1E3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | 1:¥336.7852 5:¥329.3385 10:¥314.2756 25:¥301.0546
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