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FS50R06W1E3_B11 /IGBT 模块 IGBT Module 50A 600V
FS50R06W1E3_B11的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:IGBT-Inverter

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.45 V

在25 C的连续集电极电流:70 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:205 W

封装 / 箱体:Module

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

商标:Infineon Technologies

安装风格:SMD/SMT

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:24

子类别:IGBTs

零件号别名:FS50R06W1E3B11BOMA1 SP000790740

单位重量:24 g

供应商FS50R06W1E3_B11
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FS50R06W1E3_B11EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO568.26 Kbytes共9页FS50R06W1E3_B11的PDF下载地址
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FS50R06W1E3_B11Infineon TechnologiesIGBT 模块 IGBT Module 50A 600V1:¥278.7032
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FS50R06W1E3_B11Infineon(英飞凌)模块1+:¥454.57
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