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FQP4N80 /MOSFET 800V N-Channel QFET
FQP4N80的规格信息
FQP4N80的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:3.9 A

Rds On-漏源导通电阻:3.6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:130 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FQP4N80

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:3.8 S

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:FQP4N80_NL

单位重量:1.800 g

供应商FQP4N80
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深圳市万政电子有限公司FQP4N80深圳市宝安西乡兴业路互联网创意园C栋20618948794636
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深圳市芯幂科技有限公司FQP4N80深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市橙椒科技有限公司FQP4N80深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座B座51113418830030，13418730030
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FQP4N80深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FQP4N80广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市毅创腾电子科技有限公司FQP4N80深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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FQP4N80及相关型号的PDF资料
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FQP4N80800V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO650.65 Kbytes共8页FQP4N80的PDF下载地址STW12NK80Z,FQAF10N80,FQP6N80,STW18NK80Z,FQA10N80C,STP4NC80Z,FQAF13N80,FQP7N80,STP3NK80Z,FQP3N80C
FQP4N80的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FQP4N80Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET1+:￥10.62
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQP4N80ON SemiconductorMOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3$1.81000
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQP4N80ON Semiconductor / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET1:¥12.4526
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元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FQP4N80Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 800V N-Channel QFET1+:￥10.62
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50+:￥4.98
100+:￥4.93
300+:￥4.8401
500+:￥4.79
1000+:￥4.74
5000+:￥4.72
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