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FQP33N10 /MOSFET 100V N-Channel QFET
FQP33N10的规格信息
FQP33N10的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:33 A

Rds On-漏源导通电阻:52 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:127 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FQP33N10

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:22 S

下降时间:110 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:195 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:1.800 g

供应商FQP33N10
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深圳市华芯盛世科技有限公司FQP33N10深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
深圳市芯幂科技有限公司FQP33N10深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司FQP33N10www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司FQP33N10L华强广场C座18J0755-27381274
18098996457		董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FQP33N10深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司FQP33N10航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城FQP33N10深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQP33N10深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司FQP33N10华强北都会轩26010755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市百域芯科技有限公司FQP33N10世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城FQP33N10深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司FQP33N10深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQP33N10深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
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深圳市高捷芯城科技有限公司FQP33N10深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司FQP33N10深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
18188642307		王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司FQP33N10深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FQP33N10深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司FQP33N10广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FQP33N10深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FQP33N10广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237		谢先生Email:3003989381@qq.com询价
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FQP33N10100V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO574.77 Kbytes共8页FQP33N10的PDF下载地址STL35NF10,ZXMN10A08E6,FDS3612,FQA70N10,FQB44N10,FQPF13N10,FQT7N10L,2N6796,HUF76619D3
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FQP33N10的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Arrow(艾睿)		FQP33N10Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET1+:￥9.5201
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FQP33N10LFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品价格未公开
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ChipOneStop		FQP33N10Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET1+:￥9.5201
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Digi-Key 得捷电子		FQP33N10ON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 33A TO220-3$1.64000
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Digi-Key 得捷电子		FQP33N10Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET1+:￥9.5201
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQP33N10LON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 33A TO220-3Obsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQP33N10LFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品价格未公开
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FQP33N10Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET1+:￥9.5201
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQP33N10ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.0964
1,000:¥5.6048
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Mouser 贸泽电子		FQP33N10LFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品价格未公开
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Verical		FQP33N10Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel QFET1+:￥9.5201
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立创商城		FQP33N10ON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：52mΩ @ 16.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：127W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.96
10+:￥3.85
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