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FQP27P06_SW82127 /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
FQP27P06_SW82127的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:QFET®

包装:管件

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 13.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):43nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1400pF @ 25V

功率 - 最大值:120W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220-3

其它名称:FQP27P06SW82127

供应商FQP27P06_SW82127
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FQP27P06_SW82127Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 27A 0.07 Ohm P-Channel QFET1+:¥9.28
10+:¥7.5399
100+:¥6.0299
500+:¥6.0299
1000+:¥5.6
2500+:¥5.09
10000+:¥4.89
25000+:¥4.8599
50000+:¥
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100+:¥6.0299
500+:¥6.0299
1000+:¥5.6
2500+:¥5.09
10000+:¥4.89
25000+:¥4.8599
50000+:¥4.75