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FQD6N60CTF / MOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series
FQD6N60CTF的规格信息
FQD6N60CTF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:4 A

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :30 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:80 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:45 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:45 ns

系列:FQD6N60

工厂包装数量:2000

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商FQD6N60CTF
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现代芯城(深圳)科技有限公司FQD6N60CTF深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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