Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：2,500

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Standard

漏极至源极电压（VDSS）：400V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：4.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：1 Ohm @ 2.25A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：20nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：625pF @ 25V

功率 - 最大：2.5W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：D-Pak

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：3DPAK

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：400 V

最大连续漏极电流：4.5 A

RDS -于：1000@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：13 ns

典型上升时间：65 ns

典型关闭延迟时间：21 ns

典型下降时间：38 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

最大门源电压：±30

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

标准包装名称：DPAK

最低工作温度：-55

渠道类型：N

封装：Tape and Reel

最大漏源电阻：1000@10V

最大漏源电压：400

每个芯片的元件数：1

供应商封装形式：DPAK

最大功率耗散：2500

最大连续漏极电流：4.5

引脚数：3

铅形状：Gull-wing

FET特点：Standard

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：4.5A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：400V

供应商设备封装：D-Pak

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：1 Ohm @ 2.25A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：2.5W

封装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

输入电容（Ciss ） @ VDS：625pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：20nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：2500

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

最低工作温度：- 55 C

配置：Single

源极击穿电压：+/- 30 V

连续漏极电流：4.5 A

系列：FQD6N40C

单位重量：0.009184 oz

RDS（ON）：1 Ohms

功率耗散：2.5 W

安装风格：SMD/SMT

上升时间：65 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：400 V