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FQD3P50TM-AM002BLT /MOSFET P-CH/500V/2.1A 4.9OHM
FQD3P50TM-AM002BLT的规格信息
FQD3P50TM-AM002BLT的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:2.1 A

Rds On-漏源导通电阻:3.9 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:23 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

系列:FQD3P50

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:2.1 S

下降时间:45 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:56 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:FQD3P50TM_AM002BLT

单位重量:340 mg

供应商FQD3P50TM-AM002BLT
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