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FQD2N90TM /MOSFET 900V N-Channel QFET
FQD2N90TM的规格信息
FQD2N90TM的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:1.7 A

Rds On-漏源导通电阻:7.2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

系列:FQD2N90

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:1.7 S

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:740 mg

供应商FQD2N90TM
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深圳市百域芯科技有限公司FQD2N90TM世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳市芯幂科技有限公司FQD2N90TM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司FQD2N90TM深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
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FQD2N90TMN-Channel QFET® MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO1297.89 Kbytes共9页FQD2N90TM的PDF下载地址无
FQD2N90TM的全球分销商及价格
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		FQD2N90TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 900V N-Channel QFET2500+:￥3.73
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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Mouser 贸泽电子		FQD2N90TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET1:¥8.4524
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元器件资料网-Verical的LOGO
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