FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：40nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1550pF @ 25V
功率耗散（最大值）：185W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.3 欧姆 @ 2.9A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs