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FQA38N30 /MOSFET 300V N-Channel QFET
FQA38N30的规格信息
FQA38N30的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PN-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:300 V

Id-连续漏极电流:38.4 A

Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:290 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:20.1 mm

长度:16.2 mm

系列:FQA38N30

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:24 S

下降时间:190 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:430 ns

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:170 ns

典型接通延迟时间:80 ns

零件号别名:FQA38N30_NL

单位重量:6.401 g

供应商FQA38N30
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FQA38N30300V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO742.1 Kbytes共8页FQA38N30的PDF下载地址FQB2N30,FQPF2N30,FQB3N30,FQPF3N30,FDA59N30,FQB5N30,FQPF5N30,FQA26N30,FQPF9N30,FQAF22N30
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Digi-Key 得捷电子
FQA38N30Fairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品1+:¥25.9199
10+:¥20.79
100+:¥17.23
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1000+:¥16.44
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Digi-Key 得捷电子
FQA38N30Fairchild Semiconductor38.4A, 300V, N-CHANNEL, MOSFET$3.17000
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FQA38N30ON Semiconductor / FairchildMOSFET 300V N-Channel QFET1:¥27.8206
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100+:¥16.63
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5000+:¥15.93
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FQA38N30ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):38.4A 漏源电压(Vdss):300V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 19.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):290W 类型:N沟道1+:¥27.93
10+:¥27.21
30+:¥20.33
100+:¥19.96