图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-3PN-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:300 V
Id-连续漏极电流:38.4 A
Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:290 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:20.1 mm
长度:16.2 mm
系列:FQA38N30
晶体管类型:1 N-Channel
类型:MOSFET
宽度:5 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:24 S
下降时间:190 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:430 ns
工厂包装数量:450
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:170 ns
典型接通延迟时间:80 ns
零件号别名:FQA38N30_NL
单位重量:6.401 g