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FPF2G120BF07AS /IGBT 模块 High Power Module
FPF2G120BF07AS的规格信息
FPF2G120BF07AS的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Triple

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.55 V

在25 C的连续集电极电流:40 A

栅极—射极漏泄电流:2 uA

Pd-功率耗散:98 W, 140 W, 156 W

封装 / 箱体:F2

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

系列:FPF2G120BF07AS

商标:ON Semiconductor / Fairchild

安装风格:SMD/SMT

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:70

子类别:IGBTs

单位重量:45 g

供应商FPF2G120BF07AS
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深圳市辉华拓展电子有限公司FPF2G120BF07AS深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FPF2G120BF07AS深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市捷芯微科技有限公司FPF2G120BF07ASP深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
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深圳市安富世纪电子有限公司FPF2G120BF07AS深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市斌腾达科技有限公司FPF2G120BF07AS深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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集好芯城FPF2G120BF07AS深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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FPF2G120BF07ASF2, 3ch Boost module with NTC ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO1377.11 Kbytes共10页FPF2G120BF07AS的PDF下载地址
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FPF2G120BF07AS的全球分销商及价格
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FPF2G120BF07ASON SemiconductorIGBT MODULE 650V 40A 156W F2$119.00000
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FPF2G120BF07ASPON SemiconductorPIM F2 BOOST 650V 40A PCM$94.00000
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FPF2G120BF07ASPON SemiconductorIGBT MODULE 650V 40A 156W F2Obsolete
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FPF2G120BF07ASON Semiconductor / FairchildIGBT 模块 High Power Module1:¥836.0192
5:¥820.7303
10:¥783.768
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Mouser 贸泽电子
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5:¥850.8448
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