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FPF2C8P2NL07A /IGBT 模块 PIM F2 NPC 650V 50A
FPF2C8P2NL07A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:3-Phase

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:2.13 V, 2.49 V

在25 C的连续集电极电流:30 A, 50 A

栅极—射极漏泄电流:2 uA, 2 uA

Pd-功率耗散:135 W, 174 W

封装 / 箱体:F2

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

系列:FPF2C8P2NL07A

商标:ON Semiconductor / Fairchild

安装风格:Through Hole

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:70

子类别:IGBTs

商标名:STEALTH

单位重量:45 g

供应商FPF2C8P2NL07A
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FPF2C8P2NL07AF2, 3-phase, 3-level NPC module with Press-fit / NTC ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO1469.22 Kbytes共11页FPF2C8P2NL07A的PDF下载地址
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