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FP50R12KT4PBPSA1 /IGBT 模块 LOW POWER ECONO
FP50R12KT4PBPSA1的规格信息
FP50R12KT4PBPSA1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

技术:Si

产品:IGBT Silicon Modules

配置:3-Phase

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.85 V

在25 C的连续集电极电流:50 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

封装 / 箱体:EconoPIM2

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs

商标名:EconoPIM

零件号别名:FP50R12KT4P SP001255990

供应商FP50R12KT4PBPSA1
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