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FP50R12KT4 /IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
FP50R12KT4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

产品:IGBT Silicon Modules

配置:3-Phase

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.25 V

在25 C的连续集电极电流:50 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

Pd-功率耗散:280 W

封装 / 箱体:Econo 3

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

高度:17 mm

长度:107.5 mm

宽度:45 mm

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs

零件号别名:FP50R12KT4BOSA1 SP000372915

单位重量:180 g

供应商FP50R12KT4
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FP50R12KT4的全球分销商及价格
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5:¥871.2074
10:¥832.019
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500+:¥314.32
1000+:¥308.66