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FP25R12W2T4_B11 /IGBT 模块 IGBT 1200V 25A
FP25R12W2T4_B11的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.25 V

在25 C的连续集电极电流:39 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:175 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

系列:IGBT4

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:15

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:FP25R12W2T4B11BOMA1 SP000413966

单位重量:39 g

供应商FP25R12W2T4_B11
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深圳市高捷芯城科技有限公司FP25R12W2T4_B11深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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Digi-Key 得捷电子
FP25R12W2T4PB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT MOD 1200V 50A 20MW$51.70000
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Mouser 贸泽电子
FP25R12W2T4_B11Infineon TechnologiesIGBT 模块 IGBT 1200V 25A1:¥380.1998
5:¥371.7474
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Mouser 贸泽电子
FP25R12W2T4PB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT 模块 LOW POWER EASY1:¥406.7887
5:¥397.7261
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FP25R12W2T4_B11Infineon Technologies Americas Inc.15 : $42.2828
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FP25R12W2T4_B11Infineon(英飞凌)IGBT管1+:¥668.79
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