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FP25R12U1T4 /IGBT 模块 IGBT Module 25A 1200V
FP25R12U1T4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:PIM 3-Phase Input Rectifier

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.85 V

在25 C的连续集电极电流:39 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:190 W

封装 / 箱体:SmartPIM1

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

系列:IGBT4

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:30

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:FP25R12U1T4BPSA1 SP000663674

单位重量:34 g

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