FMD5N50E5
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W 类型:N沟道
FMD5N50E5的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻1.5Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)75W
类型N沟道
FMD5N50E5
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FMD5N50E5 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W 类型:N沟道 | Fortior Tech(峰岹) |  | 731.41 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
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