制造商:IXYS

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:ISOPLUS-i4-PAK-5

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:38 A

Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.9 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:250 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:HiPerFET, COOLMOS, ISOPLUS i4-PAC

封装:Tube

高度:20.88 mm

长度:19.91 mm

系列:FMD40-06KC

晶体管类型:1 N-Channel

类型:HiPerFET CoolMOS Power MOSFETs

宽度:5.03 mm

商标:IXYS

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:110 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:6.500 g