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FF150R12RT4 /IGBT 模块 IGBT 1200V 150A
FF150R12RT4的规格信息
FF150R12RT4的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.75 V

在25 C的连续集电极电流:150 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

Pd-功率耗散:790 W

封装 / 箱体:Module

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

商标:Infineon Technologies

安装风格:SMD/SMT

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs

零件号别名:FF150R12RT4HOSA1 SP000624908

供应商FF150R12RT4
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