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FF1400R12IP4 /IGBT 模块 N-CH 1.2KV 1.4KA
FF1400R12IP4的规格信息
FF1400R12IP4的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.05 V

在25 C的连续集电极电流:1400 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:7.65 kW

封装 / 箱体:PRIME3

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

高度:38 mm

长度:250 mm

宽度:89 mm

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:2

子类别:IGBTs

零件号别名:FF1400R12IP4BOSA1 SP000609758

供应商FF1400R12IP4
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