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FF1200R12IE5 /IGBT 模块
FF1200R12IE5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.7 V

在25 C的连续集电极电流:1200 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:20 mW

封装 / 箱体:PrimePACK

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

封装:Tray

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:3

子类别:IGBTs

零件号别名:FF1200R12IE5BPSA1 SP000976764

单位重量:1.5 kg

供应商FF1200R12IE5
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