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FDP036N10A /MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
FDP036N10A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:176 A

Rds On-漏源导通电阻:3.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:89 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:227 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FDP036N10A

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:167 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

单位重量:1.800 g

供应商FDP036N10A
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13417122760
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13418830030,13418730030
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Arrow(艾睿)
FDP036N10AFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET1+:¥40.83
10+:¥36.4301
25+:¥32.79
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1000+:¥20.4
2500+:¥19.38
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10+:¥26.01
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250+:¥31.791+:¥20.06
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ChipOneStop
FDP036N10AFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET1+:¥40.83
10+:¥36.4301
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500+:¥17.99
1000+:¥17.42
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Digi-Key 得捷电子
FDP036N10AFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET1+:¥40.83
10+:¥36.4301
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Digi-Key 得捷电子
FDP036N10AON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 120A TO220-3$4.86000
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Mouser 贸泽电子
FDP036N10AFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET1+:¥40.83
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Mouser 贸泽电子
FDP036N10AON Semiconductor / FairchildMOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET1:¥29.4252
10:¥25.0521
100:¥21.6734
250:¥20.5886
500:¥18.4416
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Rochester
FDP036N10AFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET1+:¥40.83
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元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)
FDP036N10AFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET1+:¥40.83
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Verical
FDP036N10AFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET1+:¥40.83
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立创商城
FDP036N10AON(安森美)预售晶体管1+:¥23.16
200+:¥8.97
500+:¥8.65
1000+:¥8.5