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FDP027N08B_F102 /
FDP027N08B_F102的规格信息
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系列：PowerTrench®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：178nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：13530pF @ 40V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：246W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：2.7 毫欧 @ 100A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

封装形式Package：TO-220

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：80V

连续漏极电流ID：223A

无铅情况/RoHs：否

供应商FDP027N08B_F102
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深圳市拓亿芯电子有限公司FDP027N08B_F102深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077		刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDP027N08B_F102深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司FDP027N08B-F102航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司FDP027N08B_F102深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FDP027N08B-F102深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司FDP027N08B_F102深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FDP027N08B-F102深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司FDP027N08B-F102华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FDP027N08B-F102深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市高捷半导体有限公司FDP027N08B_F102深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FDP027N08B_F102深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司FDP027N08B_F102深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司FDP027N08B-F102深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司FDP027N08B-F102深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市橙椒科技有限公司FDP027N08B_F102深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座B座51113418830030，13418730030
13418830030，13418730030		钟小姐，王先生Email:283906751@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司FDP027N08B_F102深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市振钰科技有限公司FDP027N08B-F102深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
13926543930		廖先生Email:2885411644@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FDP027N08B_F102深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司FDP027N08B-F102广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司FDP027N08B_F102龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
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FDP027N08B-F102MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhmON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO752.87 Kbytes共12页FDP027N08B-F102的PDF下载地址无
FDP027N08B-F102MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3ON SemiconductorON Semiconductor的LOGO930.49 Kbytes共10页FDP027N08B-F102的PDF下载地址无
FDP027N08B-F102连续漏极电流（Id）（25°C 时）：223A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：246W 类型：N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO870.91 Kbytes共9页FDP027N08B-F102的PDF下载地址无
FDP027N08B_F102的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FDP027N08B_F102Fairchild Semiconductor半导体 MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm FET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品1+:￥28.63
10+:￥25.5601
25+:￥23.01
100+:￥20.96
250+:￥18.91
500+:￥16.97
1000+:￥14.32
2500+:￥13.6
5000+:￥13.091+:￥22.69
10+:￥18.3
100+:￥15.07
500+:￥15.07
1000+:￥14.3899
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5000+:￥13.48
10000+:￥13.16
25000+:￥13.285+:￥8.42
25+:￥8.28
100+:￥8.1310+:￥25.74
20+:￥25.1
100+:￥21.2399
200+:￥20.591+:￥14.5
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FDP027N08B_F102Fairchild Semiconductor半导体 MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm FET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品1+:￥28.63
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25000+:￥13.285+:￥8.42
25+:￥8.28
100+:￥8.13
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDP027N08B_F102Fairchild Semiconductor半导体 MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm FET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品1+:￥28.63
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1000+:￥14.32
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		FDP027N08B_F102Fairchild Semiconductor半导体 MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm FET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品1+:￥28.63
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100+:￥8.1310+:￥25.74
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100+:￥21.2399
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDP027N08B_F102Fairchild Semiconductor半导体 MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm FET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品1+:￥28.63
10+:￥25.5601
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1000+:￥14.32
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5000+:￥13.091+:￥22.69
10+:￥18.3
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5000+:￥13.48
10000+:￥13.16
25000+:￥13.28
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDP027N08B-F102ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm1:¥23.1311
10:¥19.6733
100:¥17.063
250:¥16.2155
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FDP027N08B_F102Fairchild Semiconductor半导体 MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm FET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品1+:￥28.63
10+:￥25.5601
25+:￥23.01
100+:￥20.96
250+:￥18.91
500+:￥16.97
1000+:￥14.32
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5000+:￥13.091+:￥22.69
10+:￥18.3
100+:￥15.07
500+:￥15.07
1000+:￥14.3899
2500+:￥13.84
5000+:￥13.48
10000+:￥13.16
25000+:￥13.285+:￥8.42
25+:￥8.28
100+:￥8.1310+:￥25.74
20+:￥25.1
100+:￥21.2399
200+:￥20.591+:￥14.51+:￥6.47
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FDP027N08B-F102ON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：223A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：246W 类型：N沟道1+:￥15.32
10+:￥13.25
30+:￥12.87
100+:￥12.49
500+:￥12.32
1000+:￥12.11
FDP027N08B_F102的相关型号
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