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FDMS86201 /MOSFET 120V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMS86201的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Power-56-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Id-连续漏极电流:65 A

Rds On-漏源导通电阻:9.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:32 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:104 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:6 mm

系列:FDMS86201

晶体管类型:1 N-Channel

类型:N-Channel Power Trench MOSFET

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:39 S

下降时间:7.1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:13 ns

单位重量:68.100 mg

供应商FDMS86201
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDMS86201www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDMS86201深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司FDMS86201航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FDMS86201深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
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谢先生Email:2851989182@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司FDMS86201深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司FDMS86201深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市高捷半导体有限公司FDMS86201深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
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FDMS86201N-Channel PowerTrench® MOSFET 120 V, 35 A, 11.5 m FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO221.76 Kbytes共7页FDMS86201的PDF下载地址
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FDMS86201ON Semiconductor / FairchildMOSFET 120V N-Channel PowerTrench MOSFET1:¥14.2154
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