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FDMS8333L /MOSFET NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Power-56-8

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:76 A

Rds On-漏源导通电阻:3.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:46 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:6 mm

系列:FDMS8333L

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:120 S

下降时间:4.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:33 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:68.100 mg

供应商FDMS8333L
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深圳市威雅利发展有限公司FDMS8333L华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDMS8333Lwww.nowchip.com0755-27381274
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FDMS8333LFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET3000+:¥4.6
6000+:¥4.37
15000+:¥4.21
30000+:¥4.07
75000+:¥3.951+:¥9.11
10+:¥7.02
100+:¥5.62
500+:¥5.11
1000+:¥4.85
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FDMS8333LON SemiconductorMOSFET N CH 40V 22A POWER 56$1.68000
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FDMS8333LON Semiconductor / FairchildMOSFET NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET1:¥11.30
10:¥9.6841
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500:¥6.5766
3,000:¥4.5991
9,000:查看
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FDMS8333LFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET3000+:¥4.6
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30000+:¥4.07
75000+:¥3.951+:¥9.11
10+:¥7.02
100+:¥5.62
500+:¥5.11
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FDMS8333LON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):22A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:3.1mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥7.31
10+:¥5.49
30+:¥5.16
100+:¥4.83
500+:¥4.68
1000+:¥4.61