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FDMA1028NZ_F021 /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
FDMA1028NZ_F021的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.7A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：68 毫欧 @ 3.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：340pF @ 10V

功率 - 最大值：700mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：MicroFET 2x2

其它名称：FDMA1028NZ_F021TR

供应商FDMA1028NZ_F021
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深圳市芯幂科技有限公司FDMA1028NZ_F021深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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FDMA1028NZ-F021MOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFETON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO481.77 Kbytes共10页FDMA1028NZ-F021的PDF下载地址无
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