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FDM2509NZ /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
FDM2509NZ的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8.7A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 8.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：17nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1200pF @ 10V

功率 - 最大值：800mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-MicroFET（2x5）

供应商FDM2509NZ
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