系列：FDG

单位重量：28 mg

高度：1.1 mm

长度：2 mm

类型：MOSFET

宽度：1.25 mm

最大工作温度：+ 150 C

最小工作温度：- 55 C

技术：Si

安装风格：SMD/SMT

零件号别名：FDG6316P_NL

商标名：PowerTrench

配置：Dual

典型接通延迟时间：5 ns

上升时间：13 ns

Vgs-栅极-源极电压：8 V

Pd-功率耗散：300 mW

通道数量：2 Channel

Id-连续漏极电流：- 700 mA

Vds-漏源极击穿电压：- 12 V

晶体管类型：2 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：270 mOhms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：P-Channel

典型关闭延迟时间：8 ns

正向跨导-最小值：2.5 S

FET类型：2 个 P 沟道（双）

FET功能：逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：700mA

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：270 毫欧 @ 700mA，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.4nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：146pF @ 6V

功率-最大值：300mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70-6

封装形式Package：SC-70

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：12V

连续漏极电流ID：0.7A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs