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FDG332PZ /MOSFET -20V P-Channel PowerTrench
FDG332PZ的规格信息
FDG332PZ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.6 A

Rds On-漏源导通电阻:95 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:750 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:FDG332PZ

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.25 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:4.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:59 ns

典型接通延迟时间:5.2 ns

单位重量:28 mg

供应商FDG332PZ
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDG332PZwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDG332PZ深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司FDG332PZ航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城FDG332PZ深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城FDG332PZ深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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芯莱德电子(香港)有限公司FDG332PZ深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市宇浩扬科技有限公司FDG332PZ深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FDG332PZ深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司FDG332PZ深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市赛美科科技有限公司FDG332PZ广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FDG332PZ深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市毅创腾电子科技有限公司FDG332PZ深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市河锋鑫科技有限公司FDG332PZ华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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深圳市博浩通科技有限公司FDG332PZ华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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深圳市成源运利电子科技有限公司FDG332PZ深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳和润天下电子科技有限公司FDG332PZ深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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FDG332PZVery low level gate drive requirements allowing operation in 1.5V circuits TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO677.77 Kbytes共2页FDG332PZ的PDF下载地址
FDG332PZP-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -2.6A, 97mΩ FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO458.81 Kbytes共6页FDG332PZ的PDF下载地址FDD5614P_05,FDMJ1023PZ,FDC638APZ,FDD8424H,FDC610PZ,FDFC2P100,FDFMA2P857,FDMA520PZ,FDS9958,FDFMA2P029Z
FDG332PZ的全球分销商及价格
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FDG332PZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V P-Channel PowerTrench3000+:¥0.95
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10+:¥2.02
100+:¥1.13
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
FDG332PZON Semiconductor / FairchildMOSFET -20V P-Channel PowerTrench1:¥3.0736
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
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Verical
FDG332PZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V P-Channel PowerTrench3000+:¥0.95
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立创商城
FDG332PZON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:95mΩ @ 2.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:P沟道1+:¥2.61
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