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FDD3510H /MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
FDD3510H的规格信息
FDD3510H的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-5

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:4.3 A

Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

系列:FDD3510H

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:2 ns, 5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2 ns, 3 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 ns, 25 ns

典型接通延迟时间:7 ns, 6 ns

单位重量:260.370 mg

供应商FDD3510H
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FDD3510HDual N & P-Channel PowerTrench MOSFET N-Channel: 80V, 13.9A, 80mOHM P-Channel: -80V, -9.4A, 190mOHM FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO434.05 Kbytes共10页FDD3510H的PDF下载地址
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FDD3510HFairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench2500+:¥2.85
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Mouser 贸泽电子
FDD3510HON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench1:¥8.1473
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Mouser 贸泽电子
FDD3510HFairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench2500+:¥2.85
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