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FDD2572_F085 /Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD2572_F085, 29 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
FDD2572_F085的规格信息
FDD2572_F085的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:29 A

最大漏源电压:150 V

最大漏源电阻值:146 m0hms

最小栅阈值电压:2V

最大栅源电压:-20 V、+20 V

封装类型:DPAK (TO-252)

安装类型:表面贴装

晶体管配置:

引脚数目:3

通道模式:增强

类别:功率 MOSFET

最大功率耗散:135 W

典型接通延迟时间:11 ns

典型关断延迟时间:31 ns

典型输入电容值@Vds:1770 pF @ 25 V

典型栅极电荷@Vgs:26 nC @ 10 V

晶体管材料:Si

系列:PowerTrench

宽度:6.22mm

最低工作温度:-55 °C

最高工作温度:+175 °C

长度:6.73mm

高度:2.39mm

尺寸:6.73 x 6.22 x 2.39mm

每片芯片元件数目:1

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商FDD2572_F085
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDD2572-F085www.nowchip.com0755-27381274
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FDD2572-F085连续漏极电流(Id)(25°C 时):29A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:54mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):135W(Tc) 类型:N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO580.50 Kbytes共13页FDD2572-F085的PDF下载地址
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100+:¥7.57
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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