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FDC655BN /MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
FDC655BN的规格信息
FDC655BN的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:6.3 A

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:FDC655BN

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:1.6 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:20 S

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:FDC655BN_NL

单位重量:30 mg

供应商FDC655BN
FDC655BN的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城(深圳)科技有限公司FDC655BNwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDC655BN深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市万政电子有限公司FDC655BN深圳市宝安西乡兴业路互联网创意园C栋20618948794636
18948794636
欧阳先生Email:3146805220@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司FDC655BN深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司FDC655BN深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市佳威星科技有限公司FDC655BN深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FDC655BN深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司FDC655BN航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城FDC655BN深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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郑小姐Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司FDC655BN深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FDC655BN深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司FDC655BN世纪汇都会轩45070755-82788062
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集好芯城FDC655BN深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FDC655BN深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市高捷芯城科技有限公司FDC655BN深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司FDC655BN深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FDC655BN深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司FDC655BN广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司FDC655BN地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FDC655BN深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
FDC655BN及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
FDC655BNSingle N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO528.17 Kbytes共6页FDC655BN的PDF下载地址FDS6680A,SI4822DY,FDS6690,SI4884DY,SI4410DY,SI4412DY,FDP8030L,HP4410DY,FDS6910,FDR4420A
FDC655BN的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
FDC655BNFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET3000+:¥1.07
6000+:¥1
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75000+:¥0.83
150000+:¥0.81+:¥3.42
10+:¥2.29
100+:¥1.28
1000+:¥0.96
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24000+:¥0.88
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15000+:¥0.8
30000+:¥0.7612000+:¥0.743000+:¥0.75
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ChipOneStop
FDC655BNFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET3000+:¥1.07
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30000+:¥0.7612000+:¥0.74
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Digi-Key 得捷电子
FDC655BNON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6$0.52000
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Digi-Key 得捷电子
FDC655BNFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET3000+:¥1.07
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
FDC655BN_NBNN007ON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6Obsolete
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
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Future(富昌)
FDC655BNFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET3000+:¥1.07
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
FDC655BNON Semiconductor / FairchildMOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET1:¥3.2318
10:¥2.7233
100:¥1.6611
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3,000:¥1.09158
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Rochester
FDC655BNFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET3000+:¥1.07
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1000+:¥1.46
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
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FDC655BNON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道1+:¥0.8684
10+:¥0.6569
30+:¥0.6181
100+:¥0.5792
500+:¥0.562
1000+:¥0.5534