销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
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 Future(富昌) | FDC653N | Fairchild Semiconductor | FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-6 N-CH 30V | 3000+:¥1.55 6000+:¥1.44 15000+:¥1.34 30000+:¥1.28 75000+:¥1.25 150000+:¥1.21+:¥3.83 10+:¥2.57 100+:¥1.7 1000+:¥1.51 3000+:¥1.41 9000+:¥1.3499 24000+:¥1.31 45000+:¥1.28 99000+:¥1.253000+:¥1.4801 15000+:¥1.39 30000+:¥1.313000+:¥0.863000+:¥0.78 9000+:¥0.76 |
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 立创商城 | FDC653N | ON(安森美) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道 | 1+:¥1.8425 10+:¥1.3927 30+:¥1.3101 100+:¥1.2274 500+:¥1.1907 1000+:¥1.1726
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