FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：220mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9.5pF @ 10V
功率 - 最大值：700mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：SuperSOT™-6
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs