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FDC5661N-F085 /MOSFET Trans N-Ch 60V 4.3A
FDC5661N-F085的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:4.3 A

Rds On-漏源导通电阻:47 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:UltraFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:FDC5661N_F085

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Power Trench MOSFET

宽度:1.6 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:3.1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.6 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19.3 ns

典型接通延迟时间:7.2 ns

零件号别名:FDC5661N_F085

单位重量:36 mg

供应商FDC5661N-F085
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDC5661N-F085www.nowchip.com0755-27381274
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