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ES6U42T2R /MOSFET TRANS MOSFET P-CH 20V 1A TR
ES6U42T2R的规格信息
ES6U42T2R的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-563T-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel, SBD

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:1 A

Rds On-漏源导通电阻:280 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:2.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:800 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:ES6U4

晶体管类型:1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:8000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:9 ns

零件号别名:ES6U42

单位重量:3 mg

供应商ES6U42T2R
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ES6U42T2RROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品8000+:¥1.468000+:¥1.36
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ES6U42T2RROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET P-CH 20V 1A TR1:¥4.6895
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