图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:ROHM Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-563T-6
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel, SBD
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:1.5 A
Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV
Vgs - 栅极-源极电压:12 V
Qg-栅极电荷:2.2 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:800 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:ES6U4
晶体管类型:1 N-Channel
商标:ROHM Semiconductor
下降时间:6 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:9 ns
工厂包装数量:8000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:15 ns
典型接通延迟时间:7 ns
零件号别名:ES6U41
单位重量:3 mg