标准包装：8,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.3A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：224 毫欧 @ 600mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：4.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：100pF @ 10V

功率 - 最大值：400mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFDFN

供应商器件封装：0503（1308 公制）

其它名称：869-1149-2