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EC4406C-TL-H /SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation/分立半导体产品
EC4406C-TL-H的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:10,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.9 欧姆 @ 100mA,4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):26pF @ 20V

功率 - 最大值:150mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:4-UFDFN

供应商器件封装:4-ECSP1008

其它名称:869-1148-2

供应商EC4406C-TL-H
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