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DMTH6016LSD-13 /MOSFET Dual N-Ch 60V 7.6A Enhanc. SOIC8
DMTH6016LSD-13的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:7.6 A

最大漏源电压:60 V

最大漏源电阻值:28 m0hms

最大栅阈值电压:2.5V

最小栅阈值电压:1V

最大栅源电压:±20 V

封装类型:SOIC

安装类型:表面贴装

引脚数目:8

通道模式:增强

类别:快速切换

最大功率耗散:1.4 W

宽度:3.95mm

典型接通延迟时间:3.4 ns

典型关断延迟时间:13 ns

典型输入电容值@Vds:864 pF @ 30 V

典型栅极电荷@Vgs:17 @ 10 V nC

系列:DMT

每片芯片元件数目:2

最低工作温度:-55 °C

长度:4.95mm

高度:1.5mm

正向二极管电压:1.2V

尺寸:4.95 x 3.95 x 1.5mm

汽车标准:AEC-Q101

最高工作温度:+175 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商DMTH6016LSD-13
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DMTH6016LSD-13DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO396.6 Kbytes共7页DMTH6016LSD-13的PDF下载地址
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DMTH6016LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO$0.38500
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DMTH6016LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V1:¥6.3054
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100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
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DMTH6016LSD-13DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.6A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:19.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:双N沟道1+:¥3.67
10+:¥2.77
30+:¥2.6
100+:¥2.44
500+:¥2.36
1000+:¥2.33