系列：汽车级，AEC-Q101

FET类型：2 个 N 沟道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：13.1A（Ta），47.6A（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：11 毫欧 @ 20A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：40.2nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2615pF @ 30V

功率-最大值：2.8W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerDI5060-8

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs