FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：95.4nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4556pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：30V

功率耗散（最大值）：3.9W（Ta）, 180W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.8 毫欧 @ 90A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252-4L

封装/外壳：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

Vgs（最大值）：±20V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs