• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
DMT5015LFDF-7 /MOSFET 50V N-Ch Enh FET 15mOhm 10Vgs 9.1A
DMT5015LFDF-7的规格信息
DMT5015LFDF-7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:U-DFN2020-F-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:50 V

Id-连续漏极电流:9.1 A

Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

Qg-栅极电荷:14 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.97 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMT50

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:2.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.1 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10.6 ns

典型接通延迟时间:2.8 ns

供应商DMT5015LFDF-7
DMT5015LFDF-7的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市坤融电子有限公司DMT5015LFDF-7航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司DMT5015LFDF-7深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市博浩通科技有限公司DMT5015LFDF-7华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司DMT5015LFDF-7龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司DMT5015LFDF-7深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司DMT5015LFDF-7深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司DMT5015LFDF-7深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司DMT5015LFDF-7深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司DMT5015LFDF-7深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司DMT5015LFDF-7华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551
杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司DMT5015LFDF-7深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司DMT5015LFDF-7华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市安富世纪电子有限公司DMT5015LFDF-7深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市高捷半导体有限公司DMT5015LFDF-7深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司DMT5015LFDF-7上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
集好芯城DMT5015LFDF-7深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613
郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司DMT5015LFDF-7深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司DMT5015LFDF-7广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市芯奕科技有限公司DMT5015LFDF-7深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司DMT5015LFDF-7深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
DMT5015LFDF-7及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
DMT5015LFDF-750V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO353.7 Kbytes共6页DMT5015LFDF-7的PDF下载地址
DMT5015LFDF-750V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO353.7 Kbytes共6页DMT5015LFDF-7的PDF下载地址
DMT5015LFDF-7的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
DMT5015LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN$0.63000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
DMT5015LFDF-7Diodes Inc.3000+:¥1.47
6000+:¥1.37
15000+:¥1.28
30000+:¥1.21
75000+:¥1.1799
150000+:¥1.13
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
DMT5015LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN15,000 : $0.1755
6,000 : $0.1885
3,000 : $0.2015
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
DMT5015LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET 50V N-Ch Enh FET 15mOhm 10Vgs 9.1A1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
DMT5015LFDF-7Diodes Inc.3000+:¥1.47
6000+:¥1.37
15000+:¥1.28
30000+:¥1.21
75000+:¥1.1799
150000+:¥1.131+:¥3.65
10+:¥2.72
100+:¥1.71
1000+:¥1.51
3000+:¥1.4
9000+:¥1.29
24000+:¥1.25
45000+:¥1.23
99000+:¥1.19
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
DMT5015LFDF-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.1A 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):820mW 类型:N沟道1+:¥3.65
10+:¥2.69
30+:¥2.52
100+:¥2.34
500+:¥2.27
1000+:¥2.23