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DMT4003SCT /MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
DMT4003SCT的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:205 A

Rds On-漏源导通电阻:3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:75.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:156 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

商标:Diodes Incorporated

下降时间:15.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:41.2 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:34.4 ns

典型接通延迟时间:13.4 ns

单位重量:2.240 g

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DMT4003SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V1:¥10.7576
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