FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能：标准
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A，10.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：13.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：641pF @ 15V
功率 - 最大值：1.9W
工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：V-DFN3030-8（K 类）
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs