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DMT3009LDT-7 / MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
DMT3009LDT-7的规格信息
DMT3009LDT-7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

FET类型:2 N 沟道(双)非对称型

FET功能:标准

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):11.1 毫欧 @ 14.4A,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 15V

功率-最大值:1.2W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:V-DFN3030-8(K类)

封装形式Package:VDFN

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:30V

连续漏极电流ID:30A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商DMT3009LDT-7
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深圳博睿鹏成科技有限公司DMT3009LDT-7深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2009号城投芯时代大厦4030755-23251550
17727431393,13510558532
唐伟,吕年英Email:sales@boraintech.com询价
深圳市芯幂科技有限公司DMT3009LDT-7深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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集好芯城DMT3009LDT-7深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司DMT3009LDT-7深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司DMT3009LDT-7深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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DMT3009LDT-7连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.1mΩ @ 14.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:双N沟道(半桥)DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO448.86 Kbytes共8页DMT3009LDT-7的PDF下载地址
DMT3009LDT-7的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8$0.92000
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Mouser 贸泽电子
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
3,000:¥2.938
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DMT3009LDT-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.1mΩ @ 14.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:双N沟道(半桥)1+:¥1.6517
10+:¥1.2543
30+:¥1.1813
100+:¥1.1084
500+:¥1.0759
1000+:¥1.0599