FET类型:2 N 沟道(双)非对称型
FET功能:标准
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):11.1 毫欧 @ 14.4A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 15V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 15V
功率-最大值:1.2W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:V-DFN3030-8(K类)
封装形式Package:VDFN
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:30V
连续漏极电流ID:30A
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs