包装标准卷带

系列汽车级，AEC-Q101

零件状态有源

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）0.59" 宽 x 2.64" 长（15.0mm x 67.0mm）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）NHD-1.5-128128G，SSD1357

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）19nC @ 8V

Vgs（最大值）±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）834pF @ 10V

FET 功能-

功率耗散（最大值）1W（Ta）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装TSOT-26

封装/外壳SOT-23-6 细型，TSOT-23-6